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本发明公开一种蓝宝石衬底的GaN HEMT器件及共源共栅结构,涉及GaN HEMT器件技术领域,所述蓝宝石衬底的GaN HEMT器件,包括:由上向下依次设置的蓝宝石衬底、GaN HEMT层和电极层;所述电极层包括源极、栅极和漏极。本发明可以...该专利属于江苏能华微电子科技发展有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏能华微电子科技发展有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种蓝宝石衬底的GaN HEMT器件及共源共栅结构,涉及GaN HEMT器件技术领域,所述蓝宝石衬底的GaN HEMT器件,包括:由上向下依次设置的蓝宝石衬底、GaN HEMT层和电极层;所述电极层包括源极、栅极和漏极。本发明可以...