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本申请提供一种功率器件及其制备方法。制备方法包括步骤：提供硅基底，于硅基底内形成阱区、位于阱区内的漂移区和位于漂移区内的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构和硅基底之间形成有衬垫隔离层，漂移区上定义有注入窗口，注入窗口与浅沟槽隔离结构相邻，注入窗...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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