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本发明公开了一种区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，包括以下步骤：将区熔单晶硅基底采用超声波清洗，去除表面的抛光物残留；浸泡于化学溶液中，去除表面的氧化层；通过RF
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该专利属于湖北久之洋红外系统股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北久之洋红外系统股份有限公司授权不得商用。

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