【技术实现步骤摘要】
区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法
[0001]本专利技术属于光学薄膜
，具体涉及一种区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法。
技术介绍
[0002]区熔单晶硅以其高纯度、高电阻率及高强度的特性，广泛应用于半导体行业领域内，发挥着重要的作用，与直拉单晶硅相比，其具备更加良好的电绝缘特性。将一定厚度(厚度≥25mm)区熔单晶硅作为耐压型光学窗口，放置于水下环境应用时，将呈现出更加稳定的抗电化学腐蚀特性。为提升区熔单晶硅基底的中波红外透过率及满足水下环境下长期使用的需求，采用区熔单晶硅基底上镀制致密中波红外保护膜的方法，同时满足光学及功能特性需求。
[0003]单晶硅基底中波红外保护膜材料常采用RF
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PECVD镀制的C：H薄膜，C：H薄膜结构介于石墨相与金刚石相之间。采用PECVD方法沉积区熔单晶硅基底制备完成的耐压型中波红外保护膜膜层时，区熔单晶硅基底耐压型因材料特性及较高厚度，沉积膜层往往呈现出较高应力，易引起膜层脱落现象。
[0004]如何在区熔单晶硅基底采用PEC...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于包括以下步骤：1)将区熔单晶硅基底采用超声波清洗，去除表面的抛光物残留；2)浸泡于化学溶液中，去除表面的氧化层；3)通过RF
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PECVD方法在高偏压条件下在其表面制备C：H保护膜，厚度不超过150nm；在低偏压条件下制备C：H保护膜，厚度不超过400nm，即可得到区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜。2.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于所述区熔单晶硅基底电阻率≥2000Ω.cm，直径或对角线长度≥300mm，厚度不低于25mm。3.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于步骤1中超声波清洗剂包含但不限于KOH、盐酸、H2O2中的一种，并采用风干的方式进行干燥。4.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于步骤2中所述化学溶液包含但不限于HF、NH4HF2、NH4F中的一种。5.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于步骤3高偏压条件的制备过程中功率1KW～2KW，沉积偏压不低于800V。6.如权利要求1所述区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：张天行，何光宗，张政，郝博，薛俊，杨俊和，吴小龙，
申请(专利权)人：湖北久之洋红外系统股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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