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本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底内形成有沟槽；于沟槽的底部和侧壁形成栅介质材料层，并于沟槽内形成栅极材料层；同步刻蚀栅介质材料层以及栅极材料层，以得到位于沟槽的底部和侧壁的栅介质层及位于沟槽内且顶面为弧形面的屏蔽栅极...
该专利属于上海鼎泰匠芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海鼎泰匠芯科技有限公司授权不得商用。

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