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一种基于信号处理SiP的DDR3堆叠结构制造技术
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文档序号:36958093
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本发明涉及一种基于信号处理SiP的DDR3堆叠结构,属于集成电路封装领域。本发明为解决半导体制造中多个DDR3集成的问题,DDR3堆叠结构采取两两堆叠后进行集成,并在最上层堆叠IPD完成三层堆叠集成。其中DDR3的连接方式为菊花链fly
该专利属于天津津航计算技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过天津津航计算技术研究所授权不得商用。
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