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本发明提供了一种带有保护结构的SiCMOSFET器件和制备方法，属于半导体器件技术领域，该一种带有保护结构的SiCMOSFET器件包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、外延层、薄膜、JFET掺杂区和钝化层，所述薄膜的两侧均设有P区、P+区和N...
该专利属于深圳佳恩功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳佳恩功率半导体有限公司授权不得商用。

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