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透明导电性膜制造技术
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下载透明导电性膜的技术资料
文档序号:3695423
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本发明提供一种透明导电性膜,其包括:透明基体膜;厚度为10-100nm、折光率为1.40-1.80、平均表面粗糙度Ra为0.8-3.0nm和x为1.0-2.0的透明SiOx薄膜;和含有铟-锡复合氧化物、厚度为20-35nm、SnO↓[2]/...
该专利属于日东电工株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日东电工株式会社授权不得商用。
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