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本发明公开了一种基于金刚石的横向JFET器件及其制造方法，它由下至上依次包括由金刚石形成的体电极、衬底，形成于所述衬底上端面上且位于其上端面中间段的沟道区、分别形成于所述衬底上端面上且位于其上端面两端部的源极和漏极、分别形成于所述源极和所述...
该专利属于中科苏州微电子产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中科苏州微电子产业技术研究院授权不得商用。

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