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本实用新型公开一种成膜装置晶片加热热场，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托...
该专利属于宁波恒普真空科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波恒普真空科技股份有限公司授权不得商用。

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