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本发明公开一种碲化锗基热电元件及其制备方法。所述碲化锗基热电元件具有依次紧邻设置的电极层/阻挡层/碲化锗基热电层结构；所述碲化锗基热电层的化学通式为Ge1‑
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该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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