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本发明涉及一种晶体生长装置，包括：炉体；坩埚，用于容纳硅熔液；加热器结构，围设于坩埚的外围，以对坩埚进行加热；保温层，设置于加热器结构的外围；导流筒，呈桶状并沿竖直方向设置在炉体内的硅熔液的上方；导流筒升降结构，设置于炉体的顶部，用于控制导...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

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