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本发明涉及一种用于在暴露有金属膜和硅的表面选择性地蚀刻硅的组合物。根据本发明，可以在暴露有金属膜和硅的半导体表面提高硅的选择性蚀刻比。的选择性蚀刻比。
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该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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