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本公开提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构良率低的技术问题。该半导体结构的制作方法包括：提供具有掺杂物的第一掺杂层；在第一掺杂层上形成牺牲层，牺牲层包括来自第一掺杂层的部分掺杂物和/或部分掺杂物析出并被氧化...
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