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本发明提供了一种Ｐｏｓｔ－ＣＭＯＳ电容式硅基微传声器及其制备方法，属于微电子半导体器件技术领域。该硅基微传声器包括一硅衬底、带有引出电极的振动膜和穿孔背极板，在硅衬底上制备一绝缘层，从硅衬底的底面刻蚀出一个缺口，该缺口的深度至绝缘层，所述穿...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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