【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种Ｐｏｓｔ－ＣＭＯＳ电容式硅基微传声器，包括一硅衬底、带有引出电极的振动膜和穿孔背极板，在硅衬底上制备一绝缘层，从硅衬底的底面腐蚀出一个缺口，该缺口的深度至绝缘层，其特征在于：所述穿孔背极板直接设置在所述绝缘层上，在所述缺口的上方，直接搭接一带有引出电极的振动膜，上述穿孔背极板与振动膜之间设有一空气隙。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。