温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种集成电容器及其制备方法，该集成电容器包括衬底、介电层、下极板层、第一介质层、第二介质层、接触孔、焊垫及上极板层，其中，介电层覆盖衬底上表面；下极板层位于介电层上表面，在X方向下极板层的长度小于介电层的长度；第一介质层覆盖下极板...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。