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本发明涉及一种提高发光效率的LED外延结构及制备方法，属于LED外延结构技术领域。LED外延结构包括从下到上依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、复合量子阱层、边缘量子垒层、电子阻挡层和P型半导体层，其中，复合量子阱层包括交替设置的量子垒和...
该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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