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本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底，在垂直方向设置在衬底上的铁电层，设置在铁电层上的电荷俘获层，设置在电荷俘获层上的栅极绝缘层，以及设置在栅极绝缘层上的栅电极层。电荷俘获层包括金属有机骨架层和嵌入金属有机骨架层...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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