温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在第一引出区内形成第一辅栅极结构；在有源区内，且在各主栅极结构周围的体区上形成源掺杂区；在形成源掺杂区之后，在第一辅栅极结构内形成第一凹槽，第一凹槽沿第二方向延伸，在相邻的主栅极结构之间的源掺杂区和...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。