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公开了一种半导体器件及其制造方法，其在漏电极设置第一导电柱和第二导电柱，第一导电柱连接至金属硅化物，通过金属硅化物连接漂移区，第二导电柱直接连接至漂移区。本发明提供的半导体器件及其制造方法设置两种导电柱引出漏电极，可在漂移区无漏掺杂区的情况...
该专利属于矽力杰半导体技术（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽力杰半导体技术（杭州）有限公司授权不得商用。

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