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本公开涉及半导体器件及其制造方法。本发明抑制了制造成本的增加并且降低了开关噪声。一种场效应晶体管具有嵌入在半导体衬底的上表面中的沟槽中的栅极电极、形成在半导体衬底中的源极区、以及形成在半导体衬底的下表面上的漏极区，该场效应晶体管被提供有：形...
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