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本申请案涉及凹入式存取装置及形成凹入式存取装置的方法。一种形成凹入式存取装置的方法包括在半导体材料中形成沟槽。用低k栅极绝缘体材料加衬垫于所述沟槽的侧壁及底部。所述低k栅极绝缘体材料以其介电常数k不大于4.0为特征。在所述低k栅极绝缘体材料...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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