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本公开提供一种片上集成单光子源发光增强装置及其制备方法，装置包括：芯片(2)，用于在泵浦激光的激发下产生单光子；其中，芯片(2)包括复合折射率波导和涂覆在复合折射率波导上的单量子点，泵浦激光激发单量子点产生单光子；复合折射率波导包括叠加的第...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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