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本发明涉及一种合成二维硒化锌纳米片的制备方法。二维半导体纳米片具有明显的物理和化学特征，使其有望替代零维和一维纳米晶，高效应用于新一代光电器件制造中。在非层状结构材料中合成出二维纳米片将有利于不同特性材料在实际生产生活中的应用。本专利以Zn...
该专利属于天津工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津工业大学授权不得商用。

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