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本发明涉及一种用于生长晶体的坩埚装置(100)。坩埚装置(100)包括加热室(140)、第一晶体(111)能够在其中生长的至少第一坩埚(110)、以及第二晶体(121)能够在其中生长的至少第二坩埚(120)。第一坩埚(110)和第二坩埚(1...
该专利属于艾伯纳工业炉公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾伯纳工业炉公司授权不得商用。

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