【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于加热多个坩埚的设备
[0001]本专利技术涉及一种用于使晶体生长的生长室以及一种用于生长晶体的方法。
技术介绍
[0002]在越来越多的
中，例如对于半导体
中的晶圆，需要单晶体材料。单晶(single crystal)或单晶体(monocrystalline)固体为这样的材料：在该材料中，整个样品的晶格一直到样品的边缘都是连续不断的并且没有晶界。不存在与晶界相关联的缺陷可以赋予单晶体独特的性质(特别是机械的、光学的和电学的性质)，所述性质也可以为各向异性的，这取决于结晶结构的类型。除了在一些宝石中是珍贵的之外，这些性质在工业上被用于技术应用中，尤其是被用于光学器件和电子器件中。
[0003]晶体生长是这样的过程：在该过程中，随着更多的原子或分子或离子在晶格中的位置增加，预先存在的晶体变得更大。晶体被定义为以在所有三个空间维度上延伸的有序重复图案、晶格进行布置的原子、分子或离子。因此晶体生长与液滴的生长的不同之处在于，在生长期间，分子或离子必须按顺序落入正确的晶格位置中，以便于使井然有序的晶体生长。<...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于生长晶体的坩埚装置(100)，所述坩埚装置(100)包括：加热室(140)；至少第一坩埚(110)，第一晶体(111)能够在所述第一坩埚中生长，至少第二坩埚(120)，第二晶体(121)能够在所述第二坩埚中生长，其中所述第一坩埚(110)和第二坩埚(120)沿着水平方向彼此相间隔地布置于所述加热室(140)内，布置于所述加热室(140)内的加热系统，其中所述加热系统被构造成用于调节温度。2.根据权利要求1所述的坩埚装置(100)，其中，所述加热系统包括沿着所述第一坩埚(110)和第二坩埚(120)延伸的加热元件(101)。3.根据权利要求2所述的坩埚装置(100)，其中，所述加热元件(101)为内部加热环(201)，其中，所述内部加热环(201)布置于所述第一坩埚(110)与所述第二坩埚(120)之间。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的坩埚装置(100)，其中，所述加热系统包括沿着所述第一坩埚(110)和第二坩埚(120)延伸的另外的加热元件(102)。5.根据权利要求4所述的坩埚装置(100)，其中，所述加热元件(102)为外部加热环(202)，其中，所述第一坩埚(110)和第二坩埚(120)布置于所述外部加热环(202)内部。6.根据权利要求2或3所述的坩埚装置(100)，其中，所述加热元件(101)为内部加热元件(101)，其中，所述加热系统包括沿着所述第一坩埚(110)和第二坩埚(120)延伸的另外的内部加热元件(103)，其中，所述内部加热元件(101)和所述另外的内部加热元件(103)彼此上下布置并且彼此相间隔，以使得所述加热室(140)的下部容积体能够由所述内部加热元件(101)加热并且所述加热室(140)的上部容积体能够由所述另外的内部加热元件(103)加热，其中，所述第一坩埚(110)的至少第一下部区段布置于所述下部容积体中并且所述第一坩埚(110)的至少第一上部区段布置于所述上部加热容积体中。7.根据权利要求2至6中的任一项所述的坩埚装置(100)，其中，所述加热元件(102)为外部加热元件(102)，其中，所述加热系统包括沿着所述第一坩埚(110)和第二坩埚(120)延伸的另外的外部加热元件(104)，其中，所述外部加热元件(102)和所述另外的外部加热元件(104)彼此上下布置并且彼此相间隔，以使得所述加热室(140)的下部容积体能够由所述外部加热元件(102)加热并且所述加热室(140)的上部容积体能够由所述另外的外部加热元件(104)加热。8.根据权利要求2至7中的任一项所述的坩埚装置(100)，其中，至少所述加热元件(102)特别地竖直可动地布置于所述加热室(140)内。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的坩埚装置(100)，
其中，所述加热系统包括布置于所述加热室中的热阻隔离件，以使得所述热阻隔离件将所述加热室(140)分隔成第一加热容积体和第二加热容积体。10.根据权利要求9所述的坩埚装置(100)，其中，所述热阻隔离件包括竖直热阻片材(106)...
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