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一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有栅极材料层，基底包括用于形成第一晶体管的第一器件区、用于形成第二晶体管的第二器件区，第一晶体管的沟道长度大于第二晶体管的沟道长度；在第一器件区的栅极材料层上形成分立的初始掩膜层；形成初始...
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