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一种多层二硫化钼倍频器及设计方法技术
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文档序号:36695853
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本文公开设计一种基于直流偏置下多层二硫化钼倍频器的设计方法,采用带通滤波器结构、直流偏置结构、倍频单元,射频信号经过带通滤波器结构进入倍频单元进行倍频,自然状态下,多层二硫化钼表现出三阶非线性,在电磁激励下,三次谐波减弱,二次谐波增强。基于...
该专利属于成都理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过成都理工大学授权不得商用。
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