一种多层二硫化钼倍频器及设计方法技术

本文公开设计一种基于直流偏置下多层二硫化钼倍频器的设计方法，采用带通滤波器结构、直流偏置结构、倍频单元，射频信号经过带通滤波器结构进入倍频单元进行倍频，自然状态下，多层二硫化钼表现出三阶非线性，在电磁激励下，三次谐波减弱，二次谐波增强。基于这一特性，本发明专利技术设计了一款二倍频器，该器件设计简单，驻波比低，体积小，变频损耗低等特点。变频损耗低等特点。变频损耗低等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种多层二硫化钼倍频器及设计方法


[0001]本专利技术利用多层二硫化钼非线性特性设计一款二次倍频器，是一种基于直流偏置下的多层二硫化钼倍频器及设计方法。

技术介绍

[0002]二维材料如过渡金属二卤化物（TMDs）由于其强非线性而在光电子中发挥重要作用。二硫化钼作为二维材料的一员，是一种新型的具有超薄层状结构的二维半导体材料。二硫化钼不仅具有可控的带隙和特殊的六方晶系结构，而且具有很强的非线性，这引起了电子器件领域的极大兴趣。2017年，Antti S
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tjoki研究了单层二硫化钼和多层二硫化钼的非线性性质。结果表明，单层二硫化钼具有极好的光学非线性：三次谐波比二次谐波强30倍。二硫化钼的非线性特性可用于制造在微波和毫米波器件应用中具有独特优势的器件，例如微波倍频器和混频器。2019年，Yong Fang使用二硫化钼的非线性来制造微波三倍频器。其基于二硫化钼的三倍频器，当输入功率为14dBm，输入频率为0.75
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1.1GHz时，三次谐波的最大输出功率为/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于直流偏置下多层二硫化钼倍频器，包括射频信号输入端、带通滤波结构、倍频单元，其特征在于：射频信号端在带通滤波结构前端；所述倍频单元包括了多层二硫化钼、位于多层二硫化钼前端的输入直流偏置器和后端的输出直流偏置器。2.根据权利要求1所述的的输入直流偏置器包括了射频信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：马建浩，方勇，耿畅，张青松，
申请(专利权)人：成都理工大学，
类型：发明
国别省市：