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本发明涉及一种晶体管接触柱结构制造方法、晶体管接触柱结构及CMOS器件，通过在衬底上形成第一介质层，并在第一介质层上形成掺杂的第二介质层，且令第二介质层中掺杂含有抑制Co产生界面迁移的杂质，并且在接触柱的上方形成盖帽层的过程中，第二介质层中...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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