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本申请提供一种提升铜填充能力的方法，包括：步骤S1，将晶圆置于电镀作业的进入等待位置，准备进入电镀液；步骤S2，将晶圆翻转至与电镀液面呈一定倾斜角度，采用高下降速度和旋转速度的方式将晶圆送至电镀液中的预定位置；步骤S3，通过电镀作业生长铜主...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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