一种提升铜填充能力的方法技术

本申请提供一种提升铜填充能力的方法，包括：步骤S1，将晶圆置于电镀作业的进入等待位置，准备进入电镀液；步骤S2，将晶圆翻转至与电镀液面呈一定倾斜角度，采用高下降速度和旋转速度的方式将晶圆送至电镀液中的预定位置；步骤S3，通过电镀作业生长铜主体层。采用高下降速度和旋转速度的方式使晶圆更快地浸润在电镀液中，可以对晶圆施加低保护电压，从而显著改善因面内电流分布不均匀在电镀作业中生长的铜主体层内出现的空洞缺陷。的铜主体层内出现的空洞缺陷。的铜主体层内出现的空洞缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种提升铜填充能力的方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种提升铜填充能力的方法。

技术介绍

[0002]目前90nm以下芯片制造普遍采用铜互连工艺，其流程为先利用物理气相沉积(PVD)生长铜扩散阻挡层(Barrier Layer)和铜籽晶层(Seed Layer)，再利用电镀工艺(ECP)生长铜主体层。
[0003]电镀过程中，晶圆首先旋转进入电镀液中，位置稳定后再进行电镀过程。对于小尺寸的结构，铜籽晶层需要减薄，防止在沟槽/通孔的开口顶角位置形成严重的悬垂突出物影响电镀。但是，减薄的铜籽晶层对电镀工艺产生了挑战，在晶圆旋转进入电镀液的过程中容易出现铜籽晶层被溶解的情况。此时，如果采用高保护电压防止铜籽晶层溶解会造成面内电流分布不均匀，先入水处铜提前生长，影响电镀过程，生长的铜主体层出现比较严重的空洞缺陷(Void Defect)。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种提升铜填充能力的方法，用于解决现有技术实施电镀工艺生长的铜主体层出现比较严重的空洞缺陷的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升铜填充能力的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1，将晶圆置于电镀作业的进入等待位置，准备进入电镀液；步骤S2，将所述晶圆翻转至与电镀液面呈一定倾斜角度，采用高下降速度和旋转速度的方式将所述晶圆送至所述电镀液中的预定位置；步骤S3，通过所述电镀作业生长铜主体层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述晶圆相对于所述电镀液面的倾斜角度为2
°‑4°
。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述下降速度为150mm/s
‑
250mm/s，所述旋转速度为40rpm
‑
80rpm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述晶圆送至所述电镀液中的预定位置的过程中，对所述晶圆施加0.2V
‑
0.4V的保护电压。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆到达所述预定位置后，将所述晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢中豪，杨淋淋，梁金娥，林建树，李宗旭，冯秦旭，张守龙，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：