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本公开涉及半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底上的MOS晶体管；与MOS晶体管相对应的射频开关，射频开关包括：半导体衬底中的掺杂半导体区；半导体衬底上的至少两个金属化层级，每个金属化层级包括：绝缘层的堆叠；延伸穿过绝缘层的堆叠...
该专利属于意法半导体（克洛尔2）公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（克洛尔2）公司授权不得商用。

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