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本发明公开一种提高虚拟存储器阵列的本质临界电压Vth(Intrinsic Vth)的方法。在一基底上制作边界虚拟存储器阵列、主存储器阵列、解码器以及周边元件的过程中，所述方法进一步包括对边界虚拟存储器阵列施行额外的注入制作工艺，使边界虚拟存...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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