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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在栅极结构两侧的沟道结构中形成源漏凹槽；在源漏凹槽的底部形成牺牲外延层；在牺牲外延层上形成位于源漏凹槽内的源漏掺杂层；去除牺牲外延层，在源漏掺杂层的下方与凸起部之间形成空隙，从而实现源漏掺杂层与其下方凸...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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