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本发明提供一种氮化镓同质外延方法，包括步骤：提供一氮化镓衬底，在氮化镓衬底上生长氮化镓外延层，其中，生长氮化镓外延层包括多个生长阶段，每个当前生长阶段的生长温度高于前一生长阶段的生长温度，每个当前生长阶段的生长速率大于前一生长阶段的生长速率...
该专利属于东莞市中器集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中器集成电路有限公司授权不得商用。

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