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本发明公开一种反铁电薄膜结构、电子器件、存储单元和电子装置，其中该反铁电薄膜结构包括：电介质层，包括铪氧化物的反铁电相；以及在电介质层中的插入层，该插入层包括氧化物。已经应用反铁电薄膜结构的电子器件可以确保具有很小滞后的工作电压区间。保具有...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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