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一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层和第二层。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区。沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层。所述第一层的材料具有与所述第二层的材料不同的成分。导电材料形成于...
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