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本发明提供了一种抑制高次模的芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，所述封装结构相对其中间平面对称设置，包括晶圆级封装部分，所述晶圆级封装部分包括从下到上依次设置的封装衬底、裸芯片、第一钝化层、RDL、第二钝化层、UBM及焊球，在所述中间平面位...
该专利属于成都天成电科科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都天成电科科技有限公司授权不得商用。

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