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本申请技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，且所述第一区域和第二区域的半导体衬底的表面依次包括浮栅介质层和浮栅层；在所述第二区域的半导体衬底上的浮栅层中掺杂P型离子，形成掺杂浮栅层...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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