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根据用于制造半导体器件的方法的至少一个实施方式，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第一横向热膨胀系数的辅助载体施加在半导体本体的第一侧上。此外，该方法包括如下方法步骤：其中将具有第二横向热膨胀系数的连接载体施加在所述半导体本体的第二侧上，所...
该专利属于欧司朗光电半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过欧司朗光电半导体有限公司授权不得商用。

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