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一种多级孔ZIFs材料及其低温等离子体制备方法与应用技术
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下载一种多级孔ZIFs材料及其低温等离子体制备方法与应用的技术资料
文档序号:36503549
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本发明公开了一种多级孔ZIFs材料及其低温等离子体制备方法与应用,主要解决现有技术中ZIFs材料的合成存在步骤繁琐、材料孔径分布不规则、骨架易坍塌、对MG吸附容量低的问题。本发明首先合成ZIFs材料,然后通过采用射频低温等离子体处理ZIFs...
该专利属于华南理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过华南理工大学授权不得商用。
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