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本发明公开了一种背照式像元结构及其制备方法，该背照式像元结构包括半导体衬底，感光单元设于半导体衬底内，且靠近半导体衬底的正表面；金属互连层及介质层叠加覆盖于半导体衬底的正表面；光线入射层覆盖于半导体衬底的背表面；微透镜覆盖于光线入射层；深槽...
该专利属于上海微阱电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微阱电子科技有限公司授权不得商用。

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