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半桥IGBT功率模块的功率电极制造技术
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下载半桥IGBT功率模块的功率电极的技术资料
文档序号:36494234
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半桥IGBT功率模块的功率电极。涉及半导体技术领域。包括电性连接部、支撑部和缓冲部;电性连接部与支撑部一体成型,无需二次折弯加工,并设有用于限位拉伸的肩部;缓冲部的底部成Z型结构。功率模块在使用时,电性连接部与外部母排通过螺栓锁紧。本案通过...
该专利属于江苏扬杰半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江苏扬杰半导体有限公司授权不得商用。
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