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本实用新型公开了一种基于陶瓷金属化钎焊密封的装配式半导体电嘴,包括下绝缘体、下壳体、上绝缘体、中心电极和上壳体;上绝缘体和下绝缘体均为管状台阶结构,上绝缘体的小径段插设在下绝缘体的大径段内且之间填充有密封胶层;下绝缘体的底端具有半导体釉层;...该专利属于西咸新区腾焰燃控科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西咸新区腾焰燃控科技有限公司授权不得商用。
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本实用新型公开了一种基于陶瓷金属化钎焊密封的装配式半导体电嘴,包括下绝缘体、下壳体、上绝缘体、中心电极和上壳体;上绝缘体和下绝缘体均为管状台阶结构,上绝缘体的小径段插设在下绝缘体的大径段内且之间填充有密封胶层;下绝缘体的底端具有半导体釉层;...