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本发明提供了一种氢气杂质缺陷演化仿真方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：构建所述硅基双极型器件的SiO2和SiO2/Si界面结构模型；获取发生总剂量效应时所述硅基双极型器件中缺陷演化的基本物理过程；根据所述基本物理过程，构建对应的计算...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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