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本发明公开了一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，属于炭黑检测领域，一种制备碳化硅晶体用分隔式保温方法，包括以下步骤：S1：将生长后的碳化硅晶体放置在坩埚内；S2：利用保温模块进行保温；S3：采用测温模块对碳化硅晶体温度实时监测；S4：通过控...
该专利属于无锡上机数控股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡上机数控股份有限公司授权不得商用。

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