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本实用新型公开了一种低功耗屏蔽栅MOSFET结构，其可降低屏蔽栅MOSFET的功耗，其包括元胞区，元胞区包括衬底，衬底的正面分布有第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅极层、重掺杂区、第一金属层、隔离氧化层，衬底的背面分布有第二金属层，重...
该专利属于无锡市捷瑞微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡市捷瑞微电子有限公司授权不得商用。

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