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本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型碳化硅MOSFET的制造方法，包括在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层和漂移层蚀刻形成沟槽；氧化沟槽，形成绝缘层；重新形成阻挡层，蚀刻并离子注入形成屏蔽栅；重新形成阻挡层，蚀刻并离子注入形成夹断区；重新形...
该专利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

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